Soláthraíonn Semicera bratuithe cairbíde tantalam speisialaithe (TaC) do chomhpháirteanna agus d'iompróirí éagsúla.Cuireann an próiseas brataithe tosaigh Semicera ar chumas bratuithe chomhdhúile tantalam (TaC) íonacht ard, cobhsaíocht ardteochta agus lamháltas ceimiceach ard a bhaint amach, chun cáilíocht táirgí criostail SIC/GAN agus sraitheanna EPI a fheabhsú (Suceptor TaC brataithe le graifít), agus saol na bpríomhchodanna imoibreora a leathnú. Is é an úsáid a bhaint as sciath tantalum carbide TaC ná an fhadhb imeall a réiteach agus cáilíocht an fháis criostail a fheabhsú, agus tá Semicera tar éis an teicneolaíocht sciath tantalum carbide (CVD) a réiteach, ag teacht ar an ardleibhéal idirnáisiúnta.
Tar éis blianta forbartha, tá Semicera tar éis dul i ngleic le teicneolaíocht naCVD TaCle comhiarrachtaí na Roinne T&F. Is furasta lochtanna a tharlaíonn i bpróiseas fáis na sliseog SiC, ach tar éis iad a úsáidTaC, tá an difríocht suntasach. Anseo thíos tá comparáid idir sliseog le agus gan TaC, chomh maith le codanna Semicera d'fhás criostail aonair
le agus gan TaC
Tar éis TaC a úsáid (ar dheis)
Ina theannta sin, tá saol seirbhíse táirgí sciath TaC Semicera níos faide agus níos resistant d'ardteocht ná mar atá ag sciath SiC. Tar éis sonraí tomhais saotharlainne ar feadh i bhfad, is féidir lenár TaC oibriú ar feadh i bhfad ag uasmhéid 2300 céim Celsius. Seo a leanas cuid dár samplaí:
(a) Léaráid scéimreach d’fheiste fáis tinne criostail aonair SiC trí mhodh PVT (b) Lúibín síl barrbhrataithe TaC (lena n-áirítear síol SiC) (c) Fáinne treorach graifíte atá brataithe le TAC
