Tantalum Carbide TaC CVD Cumhdach Páirteanna Saincheaptha

Cur síos gairid:

Le teacht na sliseog chomhdhúile sileacain 8-orlach (SiC), tá na ceanglais maidir le próisis leathsheoltóra éagsúla ag éirí níos déine, go háirithe do phróisis epitaxy nuair is féidir leis an teocht a bheith níos airde ná 2000 céim Celsius.Tá claonadh ag ábhair susceptor traidisiúnta, mar shampla graifít atá brataithe le cairbíd sileacain, sublimate ag na teochtaí arda seo, rud a chuireann isteach ar an bpróiseas epitaxy.Mar sin féin, tugann CVD carbide tantalum (TaC) aghaidh go héifeachtach ar an tsaincheist seo, in ainneoin teochtaí suas le 2300 céim Celsius agus ag tairiscint saol seirbhíse níos faide.Déan teagmháil le Semicera's Tantalum Carbide TaC CVD Cumhdach Páirteanna Saincheapthachun tuilleadh eolais a fháil faoinár réitigh chun cinn.

 


Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Soláthraíonn Semicera bratuithe cairbíde tantalam speisialaithe (TaC) do chomhpháirteanna agus d'iompróirí éagsúla.Cuireann an próiseas brataithe tosaigh Semicera ar chumas bratuithe chomhdhúile tantalam (TaC) íonacht ard, cobhsaíocht ardteochta agus lamháltas ceimiceach ard a bhaint amach, chun cáilíocht táirgí criostail SIC/GAN agus sraitheanna EPI a fheabhsú (Suceptor TaC brataithe le graifít), agus saol na bpríomhchodanna imoibreora a leathnú.Is é an úsáid a bhaint as sciath tantalum carbide TaC ná an fhadhb imeall a réiteach agus cáilíocht an fháis criostail a fheabhsú, agus tá Semicera tar éis an teicneolaíocht sciath tantalum carbide (CVD) a réiteach, ag teacht ar an ardleibhéal idirnáisiúnta.

 

Le teacht na sliseog chomhdhúile sileacain 8-orlach (SiC), tá na ceanglais maidir le próisis leathsheoltóra éagsúla ag éirí níos déine, go háirithe do phróisis epitaxy nuair is féidir leis an teocht a bheith níos airde ná 2000 céim Celsius.Tá claonadh ag ábhair susceptor traidisiúnta, mar shampla graifít atá brataithe le cairbíd sileacain, sublimate ag na teochtaí arda seo, rud a chuireann isteach ar an bpróiseas epitaxy.Mar sin féin, tugann CVD carbide tantalum (TaC) aghaidh go héifeachtach ar an tsaincheist seo, in ainneoin teochtaí suas le 2300 céim Celsius agus ag tairiscint saol seirbhíse níos faide.Déan teagmháil le Semicera's Tantalum Carbide TaC CVD Cumhdach Páirteanna Saincheapthachun tuilleadh eolais a fháil faoinár réitigh chun cinn.

Tar éis blianta forbartha, tá Semicera tar éis dul i ngleic le teicneolaíocht naCVD TaCle comhiarrachtaí na Roinne T&F.Is furasta lochtanna a tharlaíonn i bpróiseas fáis na sliseog SiC, ach tar éis iad a úsáidTaC, tá an difríocht suntasach.Anseo thíos tá comparáid idir sliseog le agus gan TaC, chomh maith le páirteanna Simicera le haghaidh fás criostail aonair.

pictiúr_20240227150045

le agus gan TaC

pictiúr_20240227150053

Tar éis TaC a úsáid (ar dheis)

Thairis sin, Semicera arTáirgí atá brataithe le TaCsaol seirbhíse níos faide a thaispeáint agus friotaíocht ardteochta níos mó i gcomparáid leCótaí SiC.Tá sé léirithe ag tomhais saotharlainne go bhfuil árBratuithe TaCis féidir leo feidhmiú go comhsheasmhach ag teochtaí suas le 2300 céim Celsius ar feadh tréimhsí fada.Seo thíos roinnt samplaí dár samplaí:

 
0(1)
Ionad Oibre Semicera
Ionad oibre leathcheann 2
Meaisín trealaimh
Teach Stórais Semicera
Próiseáil CNN, glanadh ceimiceach, sciath CVD
Ár seirbhís

  • Roimhe Seo:
  • Ar Aghaidh: