Réamhrá ar Chumhdach CVD TaC:
Is teicneolaíocht é Cumhdach CVD TaC a úsáideann sil-leagan ceimiceach gaile chun sciath chomhdhúile tantalam (TaC) a thaisceadh ar dhromchla foshraithe. Is ábhar ceirmeach ardfheidhmíochta é carbide Tantalum a bhfuil airíonna meicniúla agus ceimiceacha den scoth aige. Gineann an próiseas CVD scannán TaC aonfhoirmeach ar dhromchla an tsubstráit trí imoibriú gáis.
Príomhghnéithe:
Cruas den scoth agus friotaíocht caitheamh: Tá cruas an-ard ag carbide Tantalum, agus is féidir le CVD TaC Coating feabhas suntasach a dhéanamh ar fhriotaíocht chaitheamh an tsubstráit. Déanann sé seo an sciath iontach d'iarratais i dtimpeallachtaí ardchaitheamh, mar uirlisí gearrtha agus múnlaí.
Cobhsaíocht Ardteochta: Cosnaíonn bratuithe TaC comhpháirteanna criticiúla foirnéise agus imoibreora ag teochtaí suas le 2200 ° C, rud a léiríonn cobhsaíocht mhaith. Coinníonn sé cobhsaíocht cheimiceach agus meicniúil faoi choinníollacha teochta foircneacha, rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach le haghaidh próiseála ardteochta agus iarratais i dtimpeallachtaí ardteochta.
Cobhsaíocht cheimiceach den scoth: Tá friotaíocht láidir creimeadh ag carbide Tantalum don chuid is mó de aigéid agus alcailí, agus is féidir le CVD TaC Coating cosc a chur go héifeachtach ar damáiste don tsubstráit i dtimpeallachtaí creimneach.
Leáphointe ard: Tá leáphointe ard ag chomhdhúile tantalam (thart ar 3880 ° C), rud a fhágann gur féidir Cumhdach CVD TaC a úsáid i gcoinníollacha teochta fíor-ard gan leá nó díghrádú.
Seoltacht teirmeach den scoth: Tá seoltacht teirmeach ard ag sciath TaC, rud a chabhraíonn le teas a scaipeadh go héifeachtach i bpróisis ardteochta agus cosc a chur ar róthéamh áitiúil.
Feidhmchláir ionchasacha:
• Comhpháirteanna imoibreora CVD epitaxial Gailliam Nitride (GaN) agus Sileacain Carbide lena n-áirítear iompróirí wafer, miasa satailíte, cinn cith, uasteorainneacha, agus susceptors
• Comhpháirteanna fáis criostail chomhdhúile sileacain, nítríde ghailliam agus nítríde alúmanaim (AlN) lena n-áirítear breogáin, sealbhóirí síolta, treofháinní agus scagairí
• Comhpháirteanna tionsclaíocha lena n-áirítear eilimintí téimh friotaíochta, soic insteallta, fáinní cumhdaigh agus poirt phrásála
Gnéithe feidhmchláir:
• Teocht cobhsaí os cionn 2000°C, a cheadaíonn oibriú ag teochtaí foircneacha
• frithsheasmhach in aghaidh hidrigin (Hz), amóinia (NH3), aonsileán (SiH4) agus sileacain (Si), ag soláthar cosanta i dtimpeallachtaí ceimiceacha crua
• Cumasaíonn a fhriotaíocht turrainge teirmeach timthriallta oibriúcháin níos tapúla
• Tá greamaitheacht láidir ag graifít, rud a chinntíonn saol seirbhíse fada agus gan aon dílamú sciath.
• íonacht ultra-ard chun deireadh a chur le neamhíonachtaí nó ábhar salaithe gan ghá
• Clúdach brataithe comhréireach le lamháltais dhiantoiseacha
Sonraíochtaí teicniúla:
Ullmhú bratuithe dlúth chomhdhúile tantalam ag CVD:
Sciath TAC le criostalacht ard agus aonfhoirmeacht den scoth:
CVD TAC COATING Paraiméadair Theicniúla_Semicera:
| Airíonna fisiceacha sciath TaC | |
| Dlús | 14.3 (g/cm³) |
| Tiúchan Bulc | 8×1015/cm |
| Emissivity sonrach | 0.3 |
| Comhéifeacht leathnú teirmeach | 6.3 10-6/K |
| Cruas(HK) | 2000 HK |
| Frithsheasmhacht Bulc | 4.5 óm-cm |
| Friotaíocht | 1x10-5Óm*cm |
| Cobhsaíocht theirmeach | <2500 ℃ |
| Soghluaisteacht | 237 cm2/vs |
| Athraíonn méid graifíte | -10~-20um |
| Tiús sciath | ≥20um luach tipiciúil (35um+10um) |
Is gnáthluachanna iad seo thuas.
