Uirlis Grafite Brataithe Silicon Carbide le haghaidh Epitaxy

Uirlis Grafite Brataithe Silicon Carbide le haghaidh Íomhá Réadmhaoin Epitaxy

Cur síos gairid:

Tairgeann Semicera raon cuimsitheach susceptors agus comhpháirteanna graifíte atá deartha le haghaidh imoibreoirí epitaxy éagsúla.

Trí chomhpháirtíochtaí straitéiseacha le OEManna atá ar thús cadhnaíochta, saineolas fairsing ar ábhair, agus ardchumais déantúsaíochta, seachadann Semicera dearaí oiriúnaithe chun riachtanais shonracha d’iarratais a chomhlíonadh. Cinntíonn ár dtiomantas do shármhaitheas go bhfaighidh tú na réitigh is fearr do do riachtanais imoibreora epitaxy.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Cur síos

Soláthraíonn ár gcuideachta seirbhísí próisis sciath SiC trí mhodh CVD ar dhromchla graifít, criadóireacht agus ábhair eile, ionas go n-imoibríonn gáis speisialta ina bhfuil carbóin agus sileacain ag teocht ard chun móilíní SiC ardíonachta a fháil, móilíní a thaisceadh ar dhromchla na n-ábhar brataithe, foirmiú ciseal cosanta SIC.

timpeall (1)

timpeall (2)

Príomhghnéithe

1 .High íonachta graifít brataithe SiC

2. Friotaíocht teasa Superior & aonfhoirmeacht teirmeach

3. Criostail Fine SiC brataithe le haghaidh dromchla réidh

4. Ard-marthanacht i gcoinne glanadh ceimiceach

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC

Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J·kg-1 ·K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (coinne 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (CTE)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300