Cur síos ar an Táirge
Soláthraíonn ár gcuideachtasciath SiCseirbhísí a phróiseáil trí mhodh CVD ar dhromchla graifít, criadóireacht agus ábhair eile, ionas go n-imoibríonn gáis speisialta ina bhfuil carbóin agus sileacain ag teocht ard chun móilíní SiC ardíonachta a fháil, móilíní a thaisceadh ar dhromchla na n-ábhar brataithe, ag foirmiúCiseal cosanta SIC.
Príomhghnéithe:
1. Friotaíocht ocsaídiúcháin teocht ard:
tá an friotaíocht ocsaídiúcháin fós an-mhaith nuair a bhíonn an teocht chomh hard le 1600 C.
2. Ard-íonacht: déanta ag sil-leagan ceimiceach gaile faoi choinníoll clóiríniú teocht ard.
3. Friotaíocht creimeadh: cruas ard, dromchla dlúth, cáithníní fíneáil.
4. Friotaíocht creimeadh: aigéad, alcaile, salann agus imoibrithe orgánacha.
Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
| Airíonna SiC-CVD | ||
| Struchtúr Criostail | FCC β céim | |
| Dlús | g/cm³ | 3.21 |
| Cruas | Vickers cruas | 2500 |
| Méid Grán | μm | 2~10 |
| Íonacht Cheimiceach | % | 99.99995 |
| Cumas Teasa | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Teocht sublimation | ℃ | 2700 |
| Neart Felexural | MPa (RT 4 phointe) | 415 |
| Modal Óg | Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃) | 430 |
| Leathnú Teirmeach (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Seoltacht theirmeach | (W/mK) | 300 |
-
Coisithe Wafer Silicon Carbide
-
Leathsheoltóra SiC shilice monacriostalach brataithe...
-
Tráidire MOCVD brataithe SiC ardíonachta frith-ocsaídiúcháin
-
Bád sliseog cairbíde sileacain
-
Uirlis Graifíte Brataithe le Carbide Sileacain, le haghaidh eiseamláireach...
-
Suí Bairille Brataithe le Carbide Sileacain le haghaidh Waf...