LiNbO3 wafer nascáil

Cur síos gairid:

Tá airíonna leictrea-optúla, acousto-optúla, piezoelectric agus neamhlíne den scoth ag criostail litiam niobate. Is criostail ilfheidhmeach tábhachtach é criostail litiam niobate le dea-airíonna optúla neamhlíneacha agus comhéifeacht optúil neamhlíneach mór; is féidir leis meaitseáil chéim neamhchriticiúil a bhaint amach freisin. Mar chriostail leictrea-optúil, úsáideadh é mar ábhar tábhachtach tonnthreoraithe optúla; mar chriostail piezoelectric, is féidir é a úsáid chun scagairí SAW minicíocht mheán agus íseal a dhéanamh, trasduchtóirí ultrasonaic ard-chumhachta resistant ard-teocht, etc. Úsáidtear ábhair niobate litiam dópáilte go forleathan freisin.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Tá Wafer Nascála LiNbO3 Semicera deartha chun freastal ar na héilimh ard a bhaineann le déantúsaíocht leathsheoltóra chun cinn. Agus a n-airíonna eisceachtúla, lena n-áirítear friotaíocht caitheamh níos fearr, cobhsaíocht theirmeach ard, agus íonacht gan íoc, tá an wafer seo oiriúnach le húsáid in iarratais a éilíonn cruinneas agus feidhmíocht fhadtéarmach.

Sa tionscal leathsheoltóra, úsáidtear Wafers Nascála LiNbO3 go coitianta chun sraitheanna tanaí a nascadh i bhfeistí optoelectronic, braiteoirí, agus ICanna chun cinn. Tá luach ar leith ag baint leo i bhfótóinic agus MEMS (Córais Mhicrea-Leictrimheicniúla) mar gheall ar a n-airíonna tréleictreach den scoth agus ar a gcumas coinníollacha oibre crua a sheasamh. Déantar Wafer Bonding LiNbO3 Semicera a innealtóireacht chun tacú le nascadh ciseal beacht, ag cur le feidhmíocht iomlán agus iontaofacht feistí leathsheoltóra.

Airíonna teirmeacha agus leictreacha LiNbO3
Leáphointe	1250 ℃
Teocht Curie	1140 ℃
Seoltacht theirmeach	38 W/m/K @ 25 ℃
Comhéifeacht leathnaithe teirmeach (@25°C)	//a, 2.0×10^-6/K //c, 2.2×10^-6/K
Friotaíocht	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Tairiseach tréleictreach	εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28, εT33/ε0= 2
Tairiseach piezoelectric	D₂₂=2.04×10^-11C/N D₃₃=19.22×10^-11C/N
Comhéifeacht leictreastatach	γT₃₃=32 pm/V, γS₃₃=31 pm/V, γT₃₁=10 pm/V, γS₃₁=8.6 pm/V, γT₂₂=6.8 pm/V, γS₂₂=3.4 pm/V,
Voltas leath-tonn, DC Réimse leictreach // z, solas ⊥ Z; Réimse leictreach // x nó y, solas ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Agus é déanta ag baint úsáide as ábhair den scoth, cinntíonn Wafer nascáil LiNbO3 iontaofacht chomhsheasmhach fiú faoi dhálaí foircneacha. Déanann a chobhsaíocht teirmeach ard go bhfuil sé oiriúnach go háirithe do thimpeallachtaí a bhaineann le teochtaí ardaithe, mar iad siúd a fhaightear i bpróisis epitaxy leathsheoltóra. Ina theannta sin, cinntíonn ard-íonacht an sliseog éilliú íosta, rud a fhágann gur rogha iontaofa é d'fheidhmchláir ríthábhachtacha leathsheoltóra.

Ag Semicera, táimid tiomanta do réitigh atá chun tosaigh sa tionscal a sholáthar. Seachadann ár Wafer nascáil LiNbO3 marthanacht gan chomhoiriúnú agus cumais ardfheidhmíochta d’fheidhmchláir a éilíonn ardíonacht, friotaíocht caitheamh agus cobhsaíocht theirmeach. Cibé acu le haghaidh táirgeadh leathsheoltóra ardleibhéil nó teicneolaíochtaí speisialaithe eile, feidhmíonn an sliseog seo mar chomhpháirt riachtanach do mhonarú feistí ceannródaíocha.