Tráidirí bioráin SiC le haghaidh próisis eitseála ICP sa tionscal LED

Tráidirí bioráin SiC do phróisis eitseála ICP sa tionscal LED Íomhá Réadmhaoin

Cur síos gairid:

Is cineál nua criadóireachta é carbide sileacain le feidhmíocht ardchostas agus airíonna ábhar den scoth. Mar gheall ar ghnéithe cosúil le neart ard agus cruas, friotaíocht teocht ard, seoltacht teirmeach iontach agus friotaíocht creimeadh ceimiceach, is féidir le Silicon Carbide beagnach gach meán ceimiceach a sheasamh. Dá bhrí sin, úsáidtear SiC go forleathan i mianadóireacht ola, ceimiceacha, innealra agus aerspáis, fiú fuinneamh núicléach agus tá a n-éilimh speisialta ag an míleata ar SIC.

Tá muid in ann dearadh agus monarú de réir do thoisí sonracha le dea-chaighdeán agus am seachadta réasúnta.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Cur síos ar an Táirge

Soláthraíonn ár gcuideachta seirbhísí próisis sciath SiC trí mhodh CVD ar dhromchla graifít, criadóireacht agus ábhair eile, ionas go n-imoibríonn gáis speisialta ina bhfuil carbóin agus sileacain ag teocht ard chun móilíní SiC ardíonachta a fháil, móilíní a thaisceadh ar dhromchla na n-ábhar brataithe, foirmiú ciseal cosanta SIC.

Príomhghnéithe:

1. Friotaíocht ocsaídiúcháin teocht ard:

tá an friotaíocht ocsaídiúcháin fós an-mhaith nuair a bhíonn an teocht chomh hard le 1600 C.

2. Ard-íonacht: déanta ag sil-leagan ceimiceach gaile faoi choinníoll clóiríniú teocht ard.

3. Friotaíocht creimeadh: cruas ard, dromchla dlúth, cáithníní fíneáil.

4. Friotaíocht creimeadh: aigéad, alcaile, salann agus imoibrithe orgánacha.

Diosca eitseáilte chomhdhúile sileacain (2)

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC

Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J·kg-1 ·K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (CTE)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300