Cur síos
An Susceptor Graifít leCumhdach Carbide Sileacain, 6 phíosaIompróir wafer 6 orlachó semicera cuireann marthanacht eisceachtúil agus seoltacht teirmeach d'fheidhmchláir ardfheidhmíochta fáis epitaxial. Déanann Semicera speisialtóireacht ar susceptors chun cinn atá deartha chun próisis a fheabhsú marSi EpitaxyagusSiC Epitaxy, ag cinntiú feidhmíocht iontaofa i dtimpeallachtaí leathsheoltóra éilitheach.
Déantar an susceptor seo a innealtóireacht go sonrach le húsáid leSuaimhneas MOCVDcórais agus cuireann sé comhoiriúnacht le hiompróirí éagsúla ar nós an PSS Iompróir Eitseála, ICP Eitseála Iompróir, agus RTP Iompróir. Tá sé an-oiriúnach do tháirgeadh Monocrystalline Silicon agus socruithe LED Epitaxial Susceptor, ag tairiscint solúbthachta i bhfoirmíochtaí éagsúla, lena n-áirítear Susceptor Bairille agus dearaí Pancóg Susceptor.
Tacaíonn an Susceptor Graphite le Cumhdach Carbide Sileacain freisin le hiarratais san earnáil fuinnimh gréine trína chomhtháthú le Páirteanna Fótavoltach agus cuireann sé barr feabhais ar phróisis GaN ar SiC Epitaxy. Cinntíonn a chumas iompróra wafer 6-orlach tréchur ard, rud a fhágann gur uirlis riachtanach é do mhonaróirí i dtionscail leathsheoltóra agus fótavoltach.
Príomhghnéithe
Graifít brataithe SiC 1 .High íonachta
2. Friotaíocht teasa Superior & aonfhoirmeacht teirmeach
3. MínCriostail SiC brataithele haghaidh dromchla réidh
4. Ard-marthanacht i gcoinne glanadh ceimiceach
Príomh-Sonraíochtaí Bratuithe CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Dlús | (g/cc) | 3.21 |
| Neart flexural | (Mpa) | 470 |
| Leathnú teirmeach | (10-6/K) | 4 |
| Seoltacht theirmeach | (W/mK) | 300 |
Pacáil agus Loingseoireacht
Cumas Soláthair:
10000 Píosa/Píosa in aghaidh na Míosa
Pacáistiú & Seachadadh:
Pacáil: Pacáil Caighdeánach & Láidir
Mála Polai + Bosca + Carton + Pallet
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Am Luaidhe:
| Cainníocht (Píosaí) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Am(laethanta) | 30 | Le hidirbheartú |
