Áirítear ar na hábhair leathsheoltóra tríú glúin den chuid is mó SiC, GaN, Diamond, etc., toisc go bhfuil a leithead bearna banna (Eg) níos mó ná nó cothrom le 2.3 volta leictreon (eV), ar a dtugtar ábhair leathsheoltóra bearna banna leathan.I gcomparáid leis na hábhair leathsheoltóra den chéad agus an dara glúin, tá na buntáistí a bhaineann le seoltacht teirmeach ard, réimse leictreach ard-bhriseadh, ráta imirce leictreon ard sáithithe agus fuinneamh ard-nasctha ag na hábhair leathsheoltóra tríú glúin, ar féidir leo freastal ar riachtanais nua na teicneolaíochta leictreonach nua-aimseartha le haghaidh ard. teocht, ardchumhacht, brú ard, minicíocht ard agus friotaíocht radaíochta agus coinníollacha crua eile.Tá ionchais iarratais thábhachtacha aige i réimsí cosanta náisiúnta, eitlíochta, aeraspáis, taiscéalaíochta ola, stóráil optúil, etc., agus féadann sé caillteanas fuinnimh a laghdú níos mó ná 50% i go leor tionscail straitéiseacha mar chumarsáid leathanbhanda, fuinneamh na gréine, déantúsaíocht gluaisteán, soilsiú leathsheoltóra, agus greille cliste, agus is féidir leis an méid trealaimh a laghdú níos mó ná 75%, a bhfuil tábhacht cloch mhíle d'fhorbairt na heolaíochta agus na teicneolaíochta daonna.
Mír 项目 | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
Trastomhas | 50.8 ± 1 mm | ||
Tiús厚度 | 350 ± 25 μm | ||
Treoshuíomh | Eitleán C (0001) as uillinn i dtreo M-ais 0.35 ± 0.15° | ||
Príomh-árasán | (1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm | ||
Árasán Tánaisteach | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
Seoltacht | N-cineál | N-cineál | Leath-Inslithe |
Friotaíocht (300K) | < 0.1 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm | > 106 Ω·cm |
teilifís | ≤ 15 μm | ||
BOG | ≤ 20 μm | ||
Ga Garnacht Dromchla Aghaidh | < 0.2 nm (snasta); | ||
nó < 0.3 nm (cóireáil snasta agus dromchla le haghaidh epitaxy) | |||
N Roughness Dromchla Aghaidh | 0.5 ~ 1.5 μm | ||
rogha: 1 ~ 3 nm (talamh mín);< 0.2 nm (snasta) | |||
Dlús Dislocation | Ó 1 x 105 go 3 x 106 cm-2 (arna ríomh ag CL)* | ||
Dlús Lochtanna Macra | < 2 cm-2 | ||
Limistéar Inúsáidte | > 90% (eisiamh lochtanna imeall agus macra) | ||
Is féidir é a shaincheapadh de réir riachtanais an chustaiméara, struchtúr difriúil sileacain, sapphire, bileog epitaxial GaN bunaithe ar SiC. |