Soláthraíonn ár gcuideachtasciath SiCseirbhísí próiseála ar dhromchla graifít, criadóireacht agus ábhair eile trí mhodh CVD, ionas gur féidir le gáis speisialta ina bhfuil carbóin agus sileacain imoibriú ag teocht ard chun móilíní Sic ard-íonachta a fháil, ar féidir iad a thaisceadh ar dhromchla na n-ábhar brataithe chun foirm aCiseal cosanta SiCle haghaidh hy pnotic cineál bairille.
Príomhghnéithe:
1 .High íonachta graifít brataithe SiC
2. Friotaíocht teasa Superior & aonfhoirmeacht teirmeach
3. MínCriostail SiC brataithele haghaidh dromchla réidh
4. Ard-marthanacht i gcoinne glanadh ceimiceach
Príomh-Sonraíochtaí anCumhdach CVD-SIC
| Airíonna SiC-CVD | ||
| Struchtúr Criostail | FCC β céim | |
| Dlús | g/cm³ | 3.21 |
| Cruas | Vickers cruas | 2500 |
| Méid Grán | μm | 2~10 |
| Íonacht Cheimiceach | % | 99.99995 |
| Cumas Teasa | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Teocht sublimation | ℃ | 2700 |
| Neart Felexural | MPa (RT 4 phointe) | 415 |
| Modal Óg | Gpa (coinne 4pt, 1300 ℃) | 430 |
| Leathnú Teirmeach (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Seoltacht theirmeach | (W/mK) | 300 |
-
Páirteanna Dara leath le haghaidh sciatháin Íochtarach san Epitaxia...
-
Suimithe Bonn Graifíte Brataithe SiC do MOCVD
-
Imoibreoir epitaxial Brataithe SiC Carbide SiC...
-
Tráidirí bioráin SiC do Phróisis Eitseála ICP sa ...
-
Susceptor Brataithe SiC do Dhomhain UV-LED
-
Saincheapadh táirge chomhdhúile tantalam ard íonachta