-
Cad é Tantalum Carbide?
Is cumaisc dhénártha de tantalam agus de charbóin é chomhdhúile tantalam (TaC) leis an bhfoirmle ceimiceach TaC x, áit a n-athraíonn x de ghnáth idir 0.4 agus 1. Is ábhair ceirmeacha teasfhulangacha crua, brittle, teasfhulangacha iad le seoltacht mhiotalacha. Is púdair dhonn-liath iad agus táimid...Léigh níos mó -
cad é chomhdhúile tantalam
Is ábhar ceirmeach teocht ultra-ard é carbide Tantalum (TaC) le friotaíocht ard teochta, ard-dlús, ard-dhlúthacht; ábhar ard íonachta, neamhíonachta <5PPM; agus táimhe ceimiceach d'amóinia agus hidrigin ag teochtaí arda, agus cobhsaíocht theirmeach maith. An ultra-ard mar a thugtar air ...Léigh níos mó -
Cad is epitaxy ann?
Níl taithí ag an chuid is mó d'innealtóirí ar epitaxy, a bhfuil ról tábhachtach acu i ndéantúsaíocht feistí leathsheoltóra. Is féidir epitaxy a úsáid i dtáirgí sliseanna éagsúla, agus tá cineálacha éagsúla epitaxy ag táirgí éagsúla, lena n-áirítear Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, srl. Cad é epitaxy?Léigh níos mó -
Cad iad paraiméadair thábhachtacha SiC?
Is ábhar leathsheoltóra bandgap leathan tábhachtach é chomhdhúile sileacain (SiC) a úsáidtear go forleathan i bhfeistí leictreonacha ardchumhachta agus ard-minicíochta. Seo a leanas roinnt príomhpharaiméadair a bhaineann le sliseog chomhdhúile sileacain agus a mínithe mionsonraithe: Paraiméadair Laitíse: Cinntigh go bhfuil an ...Léigh níos mó -
Cén fáth a bhfuil gá le sileacain criostail aonair a rolladh?
Tagraíonn rollta don phróiseas a bhaineann le trastomhas seachtrach slat criostail aonair sileacain a mheilt isteach i slat criostail aonair den trastomhas riachtanach ag baint úsáide as roth meilt Diamond, agus meilt amach dromchla tagartha imeall cothrom nó groove suite an tslat criostail aonair. Trastomhas seachtrach dromchla...Léigh níos mó -
Próisis chun Púdair SiC Ardchaighdeáin a Tháirgeadh
Is comhdhúil neamhorgánach é cairbíd sileacain (SiC) a bhfuil aithne air as a chuid airíonna eisceachtúla. Is annamh a tharlaíonn SiC go nádúrtha, ar a dtugtar moissanite. In feidhmeanna tionsclaíochta, déantar cairbíd sileacain a tháirgeadh go príomha trí mhodhanna sintéiseacha.Léigh níos mó -
Rialú ar aonfhoirmeacht friotachas gathacha le linn tarraingt criostail
Is iad na príomhchúiseanna a dhéanann difear d'aonfhoirmeacht friotachas gathacha criostail aonair ná maoile an chomhéadain soladach-leachtach agus an éifeacht eitleáin bheag le linn fás criostail Tionchar Maoile an chomhéadain soladach-leachtach Le linn fás criostail, má corraítear an leá go cothrom. , an...Léigh níos mó -
Cén fáth ar féidir le foirnéis criostail aonair réimse maighnéadach feabhas a chur ar chaighdeán criostail aonair
Ós rud é go n-úsáidtear breogán mar choimeádán agus go bhfuil comhiompar taobh istigh, de réir mar a mhéadaíonn an méid criostail aonair a ghintear, bíonn sé níos deacra rialú a dhéanamh ar chomhiompar teasa agus aonfhoirmeacht grádán teochta. Trí réimse maighnéadach a chur leis chun an gníomh leá seoltaí a dhéanamh ar fhórsa Lorentz, is féidir comhiompar a...Léigh níos mó -
Fás mear ar chriostail aonair SiC ag baint úsáide as foinse mórchóir CVD-SiC trí mhodh sublimation
Fás Mear Criostail Aonair SiC Ag Úsáid Foinse Bulc CVD-SiC trí Mhodh SublimationTrí úsáid a bhaint as bloic CVD-SiC athchúrsáilte mar fhoinse SiC, d'éirigh le criostail SiC a fhás ag ráta 1.46 mm/u tríd an modh PvT. Léiríonn micreaphíopa agus dlúis díláithrithe an chriostail fhásta go...Léigh níos mó -
Ábhar Optamaithe agus Aistrithe ar Threalamh Fáis Epitaxial Silicon Carbide
Tá lochtanna iomadúla ag foshraitheanna carbide sileacain (SiC) a chuireann cosc ar phróiseáil dhíreach. Chun sliseog sliseanna a chruthú, ní mór scannán aonchriostail ar leith a fhás ar an tsubstráit SiC trí phróiseas epitaxial. Tugtar an ciseal epitaxial ar an scannán seo. Déantar beagnach gach feiste SiC a réadú ar epitaxial...Léigh níos mó -
Ról Ríthábhachtach agus Cásanna Feidhmithe Smaointeoirí Graifíte atá Brataithe le SiC i Déantúsaíocht Leathsheoltóra
Tá sé beartaithe ag Semicera Semiconductor táirgeadh na gcomhpháirteanna lárnacha do threalamh déantúsaíochta leathsheoltóra a mhéadú ar fud an domhain. Faoi 2027, tá sé mar aidhm againn monarcha nua 20,000 méadar cearnach a bhunú le hinfheistíocht iomlán de 70 milliún USD. Ceann de na comhpháirteanna lárnacha atá againn, an carr sliseog chomhdhúile sileacain (SiC)...Léigh níos mó -
Cén fáth go gcaithfimid epitaxy a dhéanamh ar fhoshraitheanna wafer sileacain?
Sa slabhra tionscal leathsheoltóra, go háirithe sa slabhra tionscal leathsheoltóra tríú glúin (leathsheoltóir bandgap leathan), tá foshraitheanna agus sraitheanna epitaxial ann. Cad é an tábhacht a bhaineann leis an gciseal epitaxial? Cad é an difríocht idir an tsubstráit agus an tsubstráit? An fho-theideal...Léigh níos mó