Wafer chomhdhúile sileacaindéanta as púdar sileacain ard-íonachta agus púdar carbóin ardíonachta mar amhábhair, agus déantar criostail chomhdhúile sileacain a fhás trí mhodh aistrithe gaile fisiceach (PVT), agus a phróiseáil isteachwafer chomhdhúile sileacain.
① sintéis amhábhar. Meascaíodh púdar sileacain ard-íonachta agus púdar carbóin ardíonachta de réir cóimheas áirithe, agus rinneadh cáithníní chomhdhúile sileacain a shintéisiú ag teocht ard os cionn 2,000 ℃. Tar éis brúite, glanadh agus próisis eile, ullmhaítear na hamhábhair púdar chomhdhúile sileacain ard-íonachta a chomhlíonann riachtanais fás criostail.
② Fás criostail. Ag baint úsáide as púdar SIC ardíonachta mar amhábhar, d'fhás an criostail trí mhodh aistrithe gaile fisiceach (PVT) ag baint úsáide as foirnéis fás criostail féinfhorbartha.
③ próiseáil tinne. Bhí an tinne criostail chomhdhúile sileacain a fuarthas dírithe ag treoshuíomh criostail aonair X-gha, ansin meilte agus rollta, agus próiseáilte i gcriostail chomhdhúile sileacain trastomhas caighdeánach.
④ Gearradh criostail. Ag baint úsáide as trealamh gearrtha il-líne, déantar criostail chomhdhúile sileacain a ghearradh i leatháin tanaí le tiús nach mó ná 1mm.
⑤ Meilt sliseanna. Tá an wafer meilte ar an maoile agus ar an gharbh atá ag teastáil trí shreabháin mheilt diamanta de mhéideanna éagsúla na gcáithníní.
⑥ Snasú sliseanna. Fuarthas an chomhdhúile sileacain snasta gan damáiste dromchla trí snasú meicniúil agus snasú meicniúil ceimiceach.
⑦ Brath sliseanna. Bain úsáid as micreascóp optúil, diffractometer X-gha, micreascóp fórsa adamhach, tástálaí friotachais neamhtheagmhála, tástálaí maoile dromchla, tástálaí cuimsitheach lochtanna dromchla agus ionstraimí agus trealamh eile chun an dlús microtubule, cáilíocht criostail, garbh an dromchla, friotachas, warpage, cuaire a bhrath, athrú tiús, scratch dromchla agus paraiméadair eile de wafer chomhdhúile sileacain. De réir seo, déantar leibhéal cáilíochta an sliseanna a chinneadh.
⑧ Glanadh sliseanna. Déantar an leathán snasta chomhdhúile sileacain a ghlanadh le gníomhaire glantacháin agus uisce íon chun an leacht snasta iarmharach agus salachar dromchla eile ar an mbileog snasta a bhaint, agus ansin déantar an wafer a shéideadh agus a chroitheadh tirim le nítrigin íonachta ultra-ard agus meaisín a thriomú; Tá an wafer cuimsithe i mbosca leatháin ghlan i seomra sárghlan chun wafer chomhdhúile sileacain atá réidh le húsáid a dhéanamh le sruth.
Dá mhéad an méid sliseanna, is deacra an fás criostail agus an teicneolaíocht phróiseála comhfhreagrach, agus dá airde éifeachtacht déantúsaíochta na bhfeistí iartheachtacha, is lú an costas aonaid.
Am postála: Nov-24-2023