Mar cheann de na comhpháirteanna lárnacha deTrealamh MOCVD, is é bonn graifíte comhlacht iompróra agus téimh an tsubstráit, a chinneann go díreach aonfhoirmeacht agus íonacht an ábhair scannáin, agus mar sin bíonn tionchar díreach ag a cháilíocht ar ullmhú an bhileog epitaxial, agus ag an am céanna, le méadú ar líon na úsáidí agus an t-athrú ar choinníollacha oibre, tá sé an-éasca a chaitheamh, a bhaineann leis na hábhair inchaite.
Cé go bhfuil seoltacht teirmeach agus cobhsaíocht den scoth ag graifít, tá buntáiste maith aige mar bhun-chomhpháirt deTrealamh MOCVD, ach sa phróiseas táirgthe, déanfaidh graifít an púdar a chreimeadh mar gheall ar iarmhar gás creimneach agus orgánach miotalach, agus laghdófar saol seirbhíse an bonn graifíte go mór. Ag an am céanna, cuirfidh an púdar graifít titim faoi deara truailliú ar an sliseanna.
Is féidir le teacht chun cinn na teicneolaíochta sciath fosúchán púdar dromchla a sholáthar, seoltacht teirmeach a fheabhsú, agus dáileadh teasa a chothromú, a tháinig chun bheith ina phríomhtheicneolaíocht chun an fhadhb seo a réiteach. Bonn graifít iTrealamh MOCVDtimpeallacht úsáide, ba cheart go gcomhlíonfadh sciath dromchla bonn graifíte na saintréithe seo a leanas:
(1) Is féidir an bonn graifít a fhilleadh go hiomlán, agus tá an dlús maith, ar shlí eile is furasta an bonn graifít a chreimeadh sa ghás creimneach.
(2) Tá an neart teaglaim leis an mbonn graifít ard chun a chinntiú nach bhfuil an sciath éasca le titim amach tar éis roinnt timthriallta teocht ard agus íseal.
(3) Tá cobhsaíocht mhaith ceimiceach aige chun teip sciath a sheachaint i dteocht ard agus atmaisféar creimneach.
Tá na buntáistí a bhaineann le friotaíocht creimeadh, seoltacht ard teirmeach, friotaíocht turraing teirmeach agus cobhsaíocht ard ceimiceach ag SiC, agus is féidir leis oibriú go maith in atmaisféar epitaxial GaN. Ina theannta sin, is beag difríocht atá idir comhéifeacht leathnaithe teirmeach SiC agus comhéifeacht graifíte, mar sin is é SiC an t-ábhar is fearr le haghaidh sciath dromchla an bhoinn graifíte.
Faoi láthair, is é an SiC coitianta go príomha 3C, 4H agus 6H cineál, agus tá úsáidí SiC de chineálacha criostail éagsúla difriúil. Mar shampla, is féidir le 4H-SiC feistí ardchumhachta a mhonarú; Is é 6H-SiC an ceann is cobhsaí agus is féidir feistí fhótaileictreach a mhonarú; Mar gheall ar a struchtúr cosúil le GaN, is féidir 3C-SiC a úsáid chun ciseal epitaxial GaN a tháirgeadh agus chun feistí SiC-GaN RF a mhonarú. Tugtar 3C-SiC freisin go coitiantaβ-SiC, agus úsáid thábhachtach deβ-SiC mar scannán agus ábhar brataithe, mar sinβ-Is é SiC an príomh-ábhar le haghaidh sciath faoi láthair.
Am postála: Nov-06-2023