-
Próiseas Déantúsaíochta Leathsheoltóra – Teicneolaíocht Etch
Tá na céadta próiseas ag teastáil chun sliseog a iompú ina leathsheoltóir. Ceann de na próisis is tábhachtaí ná eitseáil - is é sin, patrúin ciorcaid mhíne a shnoí ar an sliseog. Braitheann rath an phróisis eitseála ar athróga éagsúla a bhainistiú laistigh de raon dáilte socraithe, agus gach eitseáil...Léigh níos mó -
Ábhar Ideal le haghaidh Fáinní Fócais i dTrealamh Eitseála Plasma: Carbide Sileacain (SiC)
I dtrealamh eitseála plasma, tá ról ríthábhachtach ag comhpháirteanna ceirmeacha, lena n-áirítear an fáinne fócais. Tá an fáinne fócais, a chuirtear timpeall an sliseog agus i dteagmháil dhíreach leis, riachtanach chun an plasma a dhíriú ar an sliseog trí voltas a chur i bhfeidhm ar an bhfáinne. Cuireann sé seo leis an un...Léigh níos mó -
Ceann Tosaigh na Líne (FEOL): Ag leagan an Fhorais
Tá deireadh tosaigh na líne táirgeachta cosúil le bunús a leagan agus ballaí tí a thógáil. I ndéantúsaíocht leathsheoltóra, is éard atá i gceist leis an gcéim seo ná struchtúir bhunúsacha agus trasraitheoirí a chruthú ar wafer sileacain. Príomhchéimeanna FEOL: ...Léigh níos mó -
Éifeacht próiseála criostail aonair chomhdhúile sileacain ar chaighdeán dromchla wafer
Tá áit lárnach ag feistí cumhachta leathsheoltóra i gcórais leictreonacha cumhachta, go háirithe i gcomhthéacs forbairt go mear ar theicneolaíochtaí ar nós hintleachta saorga, cumarsáid 5G agus feithiclí nua fuinnimh, tá na ceanglais feidhmíochta dóibh ...Léigh níos mó -
Príomhábhar lárnach d'fhás SiC: sciath chomhdhúile Tantalum
Faoi láthair, tá an tríú glúin de leathsheoltóirí faoi cheannas chomhdhúile sileacain. I struchtúr costais a chuid feistí, is ionann an tsubstráit agus 47%, agus cuntais an epitaxy 23%. Is ionann an dá cheann le chéile agus thart ar 70%, arb é an chuid is tábhachtaí de mhonarú gléas chomhdhúile sileacain ...Léigh níos mó -
Conas a fheabhsaíonn táirgí atá brataithe le carbide tantalam friotaíocht creimeadh na n-ábhar?
Is teicneolaíocht cóireála dromchla a úsáidtear go coitianta é sciath chomhdhúile Tantalum ar féidir feabhas suntasach a dhéanamh ar fhriotaíocht creimeadh na n-ábhar. Is féidir sciath chomhdhúile tantalam a cheangal le dromchla an tsubstráit trí mhodhanna éagsúla ullmhúcháin, mar shampla sil-leagan ceimiceach gaile, fisic...Léigh níos mó -
Inné, d'eisigh an Bord Nuálaíochta Eolaíochta agus Teicneolaíochta fógra gur chuir Huazhuo Precision Technology deireadh lena IPO!
D'fhógair go díreach seachadadh an chéad trealamh annealing léasair SIC 8-orlach sa tSín, arb é teicneolaíocht Tsinghua é freisin; Cén fáth ar tharraing siad siar na hábhair iad féin? Díreach cúpla focal: Ar dtús, tá na táirgí ró-ilghnéitheach! Ar an gcéad amharc, níl a fhios agam cad a dhéanann siad. Faoi láthair, tá H...Léigh níos mó -
Cumhdach chomhdhúile sileacain CVD-2
Sciath chomhdhúile sileacain CVD 1. Cén fáth a bhfuil sciath chomhdhúile sileacain ann Is scannán tanaí criostail aonair ar leith é an ciseal epitaxial a fhástar ar bhonn an wafer tríd an bpróiseas epitaxial. Tugtar sliseog epitaxial ar wafer an tsubstráit agus ar an scannán tanaí epitaxial le chéile. Ina measc, tá an...Léigh níos mó -
Próiseas ullmhúcháin sciath SIC
Faoi láthair, cuimsíonn modhanna ullmhúcháin sciath SiC den chuid is mó modh glóthach-sol, modh leabaithe, modh sciath scuab, modh spraeála plasma, modh imoibrithe gaile ceimiceach (CVR) agus modh sil-leagan ceimiceach gaile (CVD). Modh leabú Is cineál de chéim soladach ardteochta é an modh seo ...Léigh níos mó -
Cumhdach Carbide Sileacain CVD-1
Cad is CVD SiC ann Is próiseas sil-leagain folúis é sil-leagan ceimiceach gaile (CVD) a úsáidtear chun ábhair soladacha ardíonachta a tháirgeadh. Is minic a úsáidtear an próiseas seo sa réimse déantúsaíochta leathsheoltóra chun scannáin tanaí a fhoirmiú ar dhromchla na sliseog. Agus SiC á ullmhú ag CVD, tá an tsubstráit caite...Léigh níos mó -
Anailís ar struchtúr díláithrithe i gcriostail SiC trí ionsamhlúchán rianaithe gathanna le cúnamh íomháú topaeolaíoch X-gha
Cúlra taighde Tábhacht iarratais chomhdhúile sileacain (SiC): Mar ábhar leathsheoltóra bandgap leathan, tá go leor airde tarraingthe ag cairbíd sileacain mar gheall ar a airíonna leictreacha den scoth (cosúil le bandgap níos mó, treoluas saturation leictreon níos airde agus seoltacht teirmeach). Na prop seo...Léigh níos mó -
Próiseas ullmhúcháin criostail síolta i bhfás criostail aonair SiC 3
Fíorú Fáis Ullmhaíodh na criostail síl cairbíde sileacain (SiC) tar éis an phróisis imlínithe agus bailíochtaíodh iad trí fhás criostail SiC. Ba é an t-ardán fáis a úsáideadh ná foirnéis fáis ionduchtaithe SiC féinfhorbartha le teocht fáis 2200 ℃, brú fáis de 200 Pa, agus fás...Léigh níos mó