Bunaíodh Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd., atá bunaithe i Ningbo, Cúige Zhejiang, an tSín, i mí Eanáir 2018. Is é an misean atá againn ná an todhchaí a mhúnlú trí ábhair, agus is é ár bhfís a bheith ina phríomh-chuideachta ábhair nua le croí-theicneolaíochtaí sa réimse leathsheoltóra. Speisialtóireacht againn i dtaighde agus i bhforbairt ardteicneolaíochtaí ar nós bratuithe SiC, bratuithe Tac, bratuithe carbóin pirealaíoch, CVD SiC (Soladach SiC), agus cairbíd sileacain athchriostalaithe, atá ríthábhachtach don tionscal leathsheoltóra. Dírímid freisin ar tháirgeadh ar scála mór táirgí ábhar ard-íonachta.

Onóir agus Deimhniú

Áiseanna agus Saotharlanna

CVD foirnéise teocht ard

Foshraitheanna brataithe le haghaidh epitaxy sliseanna LED, epitaxy wafer sileacain, foshraitheanna agus comhpháirteanna epitaxy leathsheoltóra tríú glúin, bratuithe TaC, agus níos mó.

Foirnéise íonú folúis

Íonú na n-eilimintí atá bunaithe ar charbón ar nós asgraifít, bhraith charbóin, púdar graifíte, agus comhchodach carbóin.

Foirnéise grafitization cothrománach

Go príomha fostaithe le haghaidh cóireáil ardteochta ar ábhair charbóin, mar shampla shintéiriú agus graifítiú ábhair charbóin, graifítiú scannán PI, shintéiriú ábhair seoltacha teirmeach, shintéiriú agus graifítiú rópaí snáithíní carbóin, graifítiú filiméid snáithíní carbóin, íonú púdar graifíte, agus ábhair eile atá oiriúnach le haghaidh graifítiú comhshaoil carbóin.