Sliseanna SOI

Cur síos gairid:

Is struchtúr cosúil le ceapaire é an wafer SOI le trí shraith; Lena n-áirítear an ciseal barr (ciseal gléas), lár an ciseal ocsaigine faoi thalamh (don chiseal inslithe SiO2) agus an tsubstráit bun (an mórchóir sileacain). Táirgtear sliseoga SOI ag baint úsáide as modh SIMOX agus teicneolaíocht nascáil wafer, a cheadaíonn sraitheanna gléas níos tanaí agus níos cruinne, tiús aonfhoirmeach agus dlús íseal lochtanna.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Sliseanna SOI(1)

Réimse iarratais

1. Ciorcad iomlánaithe ardluais

2. Feistí micreathonn

3. Ciorcad iomlánaithe teocht ard

4. Feistí cumhachta

5. Ciorcad comhtháite cumhachta íseal

6. MEMS

7. Ciorcad iomlánaithe ísealvoltais

Mír		Argóint
Tríd is tríd	Trastomhas Wafer 晶圆尺寸(mm)	50/75/100/125/150/200mm ±25um
	Bow / Warp 翘曲度(	<10um
	Cáithníní 颗粒度(	0.3um<30ea
	Árasáin/Eala 定位边/定位槽	Maol nó Notch
	Eisiamh Imeall 边缘去除(mm)	/
Ciseal Gléas 器件层	Cineál Gléas-ciseal / Dopant 器件层掺杂类型	Cineál N/Cineál P B/ P/ Sb / Mar
	Treoshuíomh Gléas-ciseal 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Tiús Gléas-ciseal 器件层厚度(um)	0.1~300um
	Friotaíocht Gléas-ciseal 器件层电阻率(ohm•cm)	0.001 ~ 100,000 óm-cm
	Cáithníní Gléas-ciseal 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Ciseal Gléas TTV 器件层TTV(	<10um
	Críochnaigh Ciseal an Ghléis 器件层表面处理	Snasta
BOSCA	Tiús Ocsaíd Theirmeach Adhlactha 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å)~15um
Láimhseáil Ciseal 衬底	Láimhseáil Cineál Wafer / Dopant 衬底层类型	Cineál N/Cineál P B/ P/ Sb / Mar
	Láimhseáil Treoshuíomh Wafer 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Láimhseáil Friotaíocht Wafer 衬底电阻率(ohm•cm)	0.001 ~ 100,000 óm-cm
	Láimhseáil Wafer Tiús 衬底厚度(um)	>100um
	Láimhseáil Críochnaigh Wafer 衬底表面处理	Snasta
Is féidir sliseog SOI na sonraíochtaí sprice a shaincheapadh de réir riachtanais an chustaiméara.